主要用途、功能及特点
该仪器采用了主动扰动抑制技术、快速应力形变分析算法、先进的共光路横向错位干涉、二维偏振相移等技术,突破了大口径、大面形、抗高温空气扰动等关键技术,具有自主知识产权。可对6英寸样品应力和形变进行全场、快速、直接测试。适用于微电子、光电子器件科研生产中电子基片和薄膜的面形分布、应力分布和应力释放过程的测试,为提高电子元器件质量和可靠性提供数据支持。
l 可测Si、CaAs、InGaAs和Ge等具有反光性能的薄膜或抛光片
l 基片和薄膜面形测试
l 薄膜应力分布测试;
l 应力和形变释放过程测试
l 变温基片形变和薄膜应力测试;
l 具有测试过程数据记录功能,输出结果类型:三维立体显示、二维伪彩色显示、数据表格、温度与应力曲线
主要技术指标
测试样片尺寸 2~6英寸
激光波长 650nm±30nm
激光功率 ≥15mW
样品温控范围 室温~200℃
温度均匀性 ±2%±2℃
温度控制精度 ±2%±1℃
温度显示分辨率 0.1℃
曲率半径测试范围 ∣R∣≥8m
曲率半径测试精度 5%
应力测量范围 50MPa~1GPa
应力重复测量精度 ±10%±10MPa
应力测量显示分辨率 10MPa
测试时间 ≤3min/片
电源 AC 220(1±10%)V,50(1±5%)Hz
功耗 ≤350W
结构特征 台式
外形尺寸(W×H×D) ≤520mm×630mm×850mm
重量 约80kg